东芝揭秘了可以存储1TB的新型3D闪存芯片
发布时间：2022-04-06 16:26:48 所属栏目：要闻 来源：互联网
导读：东芝已经开始运输其第三代3D NAND闪存芯片技术的样品，堆叠64层闪存电池，并且比上一代技术更高的容量超过了65％，它使用了48层。 这增加了每个硅晶片的存储器容量，并导致降低每位的成本，东芝在一个陈述中说。 基于TOSHIBA调用BICS（比特成本缩放）的垂直
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东芝已经开始运输其第三代3D NAND闪存芯片技术的样品，堆叠64层闪存电池，并且比上一代技术更高的容量超过了65％，它使用了48层。 “这增加了每个硅晶片的存储器容量，并导致降低每位的成本，”东芝在一个陈述中说。 基于TOSHIBA调用BICS（比特成本缩放）的垂直堆叠或3D技术，公司NAND闪存存储每个晶体管的三位数据，这意味着它是一个多级单元（MLC）闪存芯片。它可以存储每个芯片的512gbits（64GB）。 其一部分的BICS闪存产品线，新芯片还每芯片存储3位数据，每个芯片存储512千兆位或64GB。东芝的第二代BICS闪存芯片持有256GB（32GB）的容量。 该公司表示，新技术将启用1TB芯片，该芯片将用于创建企业和消费者SSD。新的512GB芯片设备的大规模生产计划于2017年下半年。 BICS Flash开发路线图中的下一个里程碑将是行业的最高容量芯片，一个1TB产品，具有单个包装中的16芯堆叠架构 - 换句话说，16个64GB芯片中的16个。Tosbhia表示计划于4月开始以其1TB芯片的运输样本。 “通过堆叠模具，我们能够实现每个包装的更高密度。从一个行业的角度来看，一个16芯堆已经最多是优化收益率的优化原因，“公司内存业务部长的高级副总裁Scott Nelson”在Copterworld的电子邮件回复中表示。“我们公布的512GB BICS Flash非常重要，因为在16芯堆栈中，我们在单个芯片中使行业最大的容量能够。” 基于东芝和合作伙伴WD开发的垂直堆叠或3D技术，最新的BICS（比特成本缩放）技术每扇区存储三位数据，并将这些单元格64层高。 东芝最近宣布，建筑在日本Mie Peocke的yokkaichi运营中开始了新的最先进的半导体制造工厂，Fab 6和一个新的记忆集中的研发中心。FAB 6将致力于生产公司的BICS闪存产品。 该公司在20世纪80年代初发明了NAND Flash，上个月宣布它正在探索其内存业务，包括其3D Bics技术线。日经指数的亚洲审查报告称，东芝一直在考虑将其半导体运营旋转，并销售局部利率与西方数字（WD），“它试图应对其美国核电机组的大规模减值损失。” 东芝今天宣布仍未确定其内存业务的销售。 该公司告诉投资者，旨在帮助它进入“东芝内存公司”进入“东芝内存公司”进入“东芝内存公司”中的内存业务的旨在帮助它使用投资。 东芝和WD已经共同运营了记忆制造工厂，例如位于日本Yokkaichi的Fab 2植物。 “将内存业务分成单一的企业实体将在快速决策中提供更大的灵活性，并加强融资选项，这将导致内存业务的进一步增长，”今天在其宣布中表示。 （编辑：济南站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
