杭州芯火壹号HX001阻变存储芯片上线 150℃下可保存10年
发布时间：2021-12-23 10:32:51 所属栏目：数码 来源：互联网
导读：近日，杭州国家芯火平台宣布，其第一颗芯片超大窗口阻变随机存储器芯片正式诞生，命名杭州芯火壹号HX001。 该芯片由杭州国家芯火双创平台、浙江大学微纳电子学院协同开发完成，其中阻变器件选择插层结构，采用双层或多层的插层结构来固定导电细丝在电极、插层
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近日，杭州国家“芯火”平台宣布，其第一颗芯片——超大窗口阻变随机存储器芯片正式诞生，命名“杭州芯火壹号”HX001。 该芯片由杭州国家“芯火”双创平台、浙江大学微纳电子学院协同开发完成，其中阻变器件选择插层结构，采用双层或多层的插层结构来固定导电细丝在电极、插层和阻变层界面处的位置。 根据模型外推，忆阻器所存储的数据可在150℃环境温度下保持10年以上，忆阻器单元面积小于40F2。 目前，HX001芯片已经多家单位评测试用，用户均认为该芯片产品具有较好的存储特性和可靠性，优于市场同类产品，具有较好的市场应用前景。 项目已申请一项国家发明专利。 杭州芯火壹号HX001阻变存储芯片发布：150℃下可保存10年 科普：什么是忆阻器？ 忆阻器（Memoristor）是表示磁通与电荷关系的电路器件。阻变式存储器（RRAM）是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。 作为阻变式存储器芯片一个重要的电子元件，忆阻器的电阻会随外加电压的高低而变化。 RRAM将比闪存更快记忆信息，消耗更少电力，占用更少空间。 （编辑：济南站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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